国家/地区 美国（65） 中国（13） 德国（12） 英国（10） 世界知识产权组织（9） 印度（2） 日本（2） 韩国（2） 台湾（2）
IPC部 B（66） H（52） C（20）
G（15）
IPC大类 B82（66）
IPC小类 B82Y（66） H01L（49） C01B（15）
G01N（12） B32B（6） H01B（6）
C23C（5） C12Q（4） B05D（3）
B82B（3） C23F（3） B44C（2）
C07C（2） C40B（2） G02B（2）
IPC B82Y040/00（42） B82Y030/00（26） B82Y099/00（22）
H01L029/06（17） B82Y010/00（16） H01L029/16（16）
H01L029/78（16） H01L021/336（15） H01L051/05（12）
C01B031/04（11） H01L051/00（11） H01L021/02（10）
H01L029/66（10） H01L029/775（10） H01L021/28（7）
发明人 AFZALIARDAKANI A（14） DIMITRAKOPOULOS C D（11） AVOURIS P（10）
GRILL A（10） ZHU W（10） LIN Y（9）
FARMER D B（8） HAN S（8） TULEVSKI G S（8）
MAAROUF A（7） MARTYNA G J（7） DIMITRAKOPOULOS C（6）
PENG H（6） BOL A A（5） CHANDRA B（5）
公开年 2013（26） 2014（14） 2012（10） 2015（9） 2011（3） 2018（2）
申请年 2012（28）  2011（13）  2013（10）  2014（4）  2015（4）  2010（3）  2017（2） 
专利权人 INT BUSINESS MACHINES CORP（66）

Graphene-based field effect transistor (FET) fabrication by providing FET comprising channel material (comprising graphene, gate, and contact comprising metal carbide having been formed from carbon material) on substrate.

SLEIGHT J, LAUER I, CHANG J

Method for generating graphene film, involves placing substrate for graphene film synthesis inside of quasi-enclosed substrate holder and generating graphene film on substrate through chemical vapor deposition.

BOL A A, LI X

Method for fabricating plate varactor e.g. graphene varactor, involves providing layer of graphene over first electrode to contribute quantum capacitance component to dielectric layer, and forming upper electrode on layer of graphene.

CHEN Z, HAN S, KOSWATTA S O, VALDES G A

Electrically differentiating bases comprises providing a reservoir structure comprising a nanopore which is formed through the membrane having a graphene layer and using transistor current flowing through the graphene transistor.

PENG H, STOLOVITZKY G A, ZHU W

Method for forming semiconductor structure involves overlapping portion of each graphene nanoribbon and located atop portion of each silicon carbide fins and silicon fin, and overlapped by gate structure.

COHEN G M, DIMITRAKOPOULOS C D, GRILL A

Method for forming patterned graphene layer on substrate of electronic device, involves removing patterned structure to produce patterned graphene layer on substrate, where patterned graphene layer on substrate provides carrier mobility.

AFZALIARDAKANI A, MAAROUF A, MARTYNA G J, SAENGER K

Graphene nanomesh (GNM) based charge sensor for detecting a target molecule comprises a GNM with a patterned array of multiple holes each having a passivated edge functionalized with a chemical compound that facilitates chemical binding.

AFZALIARDAKANI A, HAN S, KASRY A, MAAROUF A, MARTYNA G J, NISTOR R, TSAI H

Plate varactor for use in silicon technologies, has graphene layer placed over electrode in contact with dielectric layer to contribute quantum capacitance component to dielectric layer, and upper electrode formed on graphene layer.

CHEN Z, HAN S, KOSWATTA S O, VALDES G A

Manufacturing method for semiconductor device with graphene nanoribbons patterns at least one of at least one layer of silicon material and at least one layer of carbon based material and forms graphene on patterned carbon based material.

ALPTEKIN E, SARDESAI V Y, VEGA R A, SADSE V Y

Doped, passivated graphene nanomesh used in field effect transistor, and semiconductor device, comprises graphene nanomesh comprising nanoholes, passivating element, and dopant bonded to passivating element.

ABOUKANDIL A, MAAROUF A, MARTYNA G J, MOHAMED H, NEWNS D M